杨学林

杨学林是北京大学物理学院教授，博士生导师，研究方向为宽禁带半导体材料与器件。他于2004年获得吉林大学学士学位，2009年获得北京大学博士学位，并在东京大学完成博士后研究。目前，他主要围绕GaN基电子材料与器件开展研究工作，特别是在Si衬底上GaN基电子材料的MOCVD外延生长及缺陷物理方面取得多项成果。他发表SCI论文180余篇，包括在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.等期刊上的论文。杨学林教授的联系方式为邮箱xlyang@pku.edu.cn，办公地点为北京大学物理北楼446。